多滑移 晶体的滑移在两组或者更多的滑移面上同时进行或者交替进行。多滑移取向铜单晶体在不同塑性应变幅下循环饱和后的表面滑移特征.结果表明，[011]多滑移取向铜单晶体的疲劳极限低于[001]多滑移取向铜单晶体.当应变幅γpl≥2.5×10－3时，表面出现两种宏观形变带（DBI和DBII）；它们呈严格的正交关系，其形成可能与循环加载中产生的不可逆晶体旋转密切相关.当应变幅γpl≥5.0×10－3时，表面还出现DBIII形变带，其惯习面为（001）；此类形变带的出现是〔011〕单晶体在高应变幅下循环达到峰值应力后出现明显循环软化现象的根本原因。