中子辐照（Neutron irradiation）技术就是利用热中子去照射材料、使其性能发生变化的一种技术。

对于半导体（例如硅）晶体材料的中子辐照，所产生的效果主要是在晶体中通过弹性碰撞而形成间隙原子和空位等缺陷；所造成的后果，主要是在禁带中央附近产生一个受主能级，并从而降低少数载流子寿命，同时也将要影响到半导体器件的其他性能（例如稳定性、可靠性）。

如果在中子辐照中出现了非弹性碰撞（高能量的热中子即有可能），即中子能量被一些晶体原子吸收，就会发生核反应，可使一种原子转变为另外一种原子。例如，Si的中子嬗变掺杂，就是利用中子辐照来实现非常均匀的n型掺杂的。