俞跃辉,生于1964年3月，上海人，1985年毕业于吉林大学电子工程系， 1989年于中科院上海微系统与信息技术研究所半导体物理与器件物理专业研究生毕业、获得博士学位。1989年11月参加工作，1996年晋升为研究员。长期从事离子注入合成SOI的结构表征、材料质量的改善、宏观性能与微观结构的关系研究及SOI器件工艺的研究。

1989年－1993年为中科院上海微系统所助理研究员。其中，1990年至1992年为德国FHG集成电路研究所博士后，从事高能离子注入技术在深亚微米半导体工艺中应用基础研究。1993年－2002年历任中科院上海微系统所副研究员、研究员、研究室副主任。（其中：1996年－1997年赴香港访问学者）。2002年－2005年任上海新傲公司副经理，研究员。作为SOI材料研发团队的负责人之一，共同创建了上海新傲公司 - 我国新一代硅基集成电路材料SOI生产基地。实现了SOI技术的重大突破和SOI材料的产业化并解决了我国SOI“有无”的问题。2005年获得上海市科技进步一等奖（第三完成人），2006年获得国家科技进步一等奖（第五完成人）。2006年起任上海微系统所人才教育处处长，研究员。 2009年3月起任上海微系统所所长助理兼人才教育处长,研究员。