于广辉，男，生于1970年11月，吉林省榆树人。1993和1996年在吉林大学电子工程系获学士和硕士学位，1999年7月中科院长春物理所获博士学位，1999年9月-2002年3月日本千叶大学博士后，2002年4月至今为中国科学院上海微系统所副研究员、研究员（2008.1起）、第二研究室副主任（2007.4月起）。在博士后工作期间，对氮化物半导体物理、材料MOCVD和MBE生长和LED器件的制备等各个方面都进行了广泛的研究，并于2001年获得了日本千叶大学的“Nanohana competition” 奖。从2002年至今作为课题组长承担国家863课题、973课题、国家自然科学基金、上海市国际合作课题、上海市自然科学基金课题、上海市白玉兰人才基金、中科院课题等多项。目前主要研究领域集中在氢化物汽相外延（HVPE）厚膜GaN衬底材料、低维GaN材料与器件以及用于GaN材料制备的HVPE设备研制。