词条 | 磁滞现象 |
释义 | 磁滞现象 在铁磁性材料中是被广泛认知的。当外加磁场施加于铁磁性物质时,其原子的偶极子按照外加场自行排列。即使当外加场被撤离,部分排列仍保持:此时,该材料被磁化。 对于晶粒取向电材料的一组B-H环路(BR 表示剩磁,而HC为矫顽力。) 简介在该材料中,磁场强度(H)和磁感应强度(B)之间的关系是非线性的。如果在增强场强条件下,此二者关系将呈曲线上升到某点,到达此点后,即使场强H继续增加,磁感应强度B也不再增加。该情况被称为磁饱和(magnetic saturation)。 磁性物质都具有保留其磁性的倾向,B的变化总是滞后于H的变化的,这种现象称为磁滞(hysteresis)现象。 如果此时磁场线性降低,该线性关系将以另一条曲线返回到0场强的某点,该点的B将被初始曲线的磁感应强度量BR叫做剩磁感应强度或剩磁(remanent flux density)相抵消。 应用磁滞现象在铁磁性材料中是被广泛认知的。当外加磁场施加于铁磁性物质时,其原子的偶极子按照外加场自行排列。即使当外加场被撤离,部分排列仍保持:此时,该材料被磁化。 对于晶粒取向电材料的一组B-H环路(BR 表示剩磁,而HC为矫顽力。) 在该材料中,磁场强度(H)和磁感应强度(B)之间的关系是非线性的。如果在增强场强条件下,此二者关系将呈曲线上升到某点,到达此点后,即使场强H继续增加,磁感应强度B也不再增加。该情况被称为磁饱和(magnetic saturation)。 如果此时磁场线性降低,该线性关系将以另一条曲线返回到0场强的某点,该点的B将被初始曲线的磁感应强度量BR叫做剩磁感应强度或剩磁(remanent flux density) 相抵消。 如果绘制以外加磁场的全部强度的二者关系图,将为S形的回路。S的中间厚度描述了磁滞量,该量与材料的矫顽力相关。 该现象的实际影响可为,例如,当通过磁芯的外加电流被撤离,由于残留磁场继续吸引电枢,而引起滞后从而延迟磁能的释放。 按磁滞回线的不同,磁性物质又可分为硬磁物质、软磁物质和矩磁物质三种。 硬磁物质的磁滞回线很宽,BR和HC都很大,如钴钢、铝镍钴合金等,常用来制造永久磁铁。 软磁物质的磁滞回线很窄,BR和HC都很小,如软铁、硅钢等,常用来制造变压器、电机和接触器等的铁心。 矩磁物质的磁滞回线接近矩形,BR大,HC小,如镁锰铁氧体和某些铁镍合金等,常用在电子技术和计算技术中。 s形回路如果绘制以外加磁场的全部强度的二者关系图,将为S形的回路。S的中间厚度描述了磁滞量,该量与材料的矫顽力相关。该现象的实际影响可为,例如,当通过磁芯的外加电流被撤离,由于残留磁场继续吸引电枢,而引起滞后从而延迟磁能的释放。 磁化矢量 (M),以磁场强度(H)为函数。 对于一种特殊材料,该曲线会影响一个磁路的设计。 对于磁带和其他的磁媒介存储设备像硬盘也是有非常重要的影响作用。在这些材料中,很显然一个磁极代表一个比特(bit),如北极代表1而南极代表0。然而,更换该存储器从一个到另一个,此迟滞作用要求了解已存信息,因为所需的场强在每种情况下都会不同。为了解决该问题,记录系统首先使用带偏移程序过速驱动整个系统到一个已知状态。模拟电磁记录同样适用这种技术。不同材料要求不同的偏移量,这就是为什么在大多数卡式录音带前端都有一个选择装置(写保护)。 为了最小化该影响和减小相关的能量损失,从而采用具有低矫顽力和低迟滞损失的铁磁性物质,例如坡莫合金(铁镍合金,透磁合金)。 在很多应用中,由回路中不同点驱动产生的小的迟滞回路存在于B-H层中。接近原点的各回路有一个较大的µ(磁导率)。回路越小,其磁性形状越柔和。一个特例就是,用一个降低的交流电场去磁化任何材料。 材料的影响及应用对于磁带和其他的磁媒介存储设备像硬盘也是有非常重要的影响作用。在这些材料中,很显然一个磁极代表一个比特(bit),如北极代表1而南极代表0。然而,更换该存储器从一个到另一个,此迟滞作用要求了解已存信息,因为所需的场强在每种情况下都会不同。为了解决该问题,记录系统首先使用带偏移程序过速驱动整个系统到一个已知状态。模拟电磁记录同样适用这种技术。不同材料要求不同的偏移量,这就是为什么在大多数卡式录音带前端都有一个选择装置(写保护)。 为了最小化该影响和减小相关的能量损失,从而采用具有低矫顽力和低迟滞损失的铁磁性物质,例如坡莫合金(铁镍合金,透磁合金)。 |
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