王万业，江都市樊川镇三周人，１９４２年１１月生。大学文化，研究员级高级工程师。

王万业 １９６８年毕业于成都电讯工程学院，先后在电子工业部第２４研究所、电子工业部中国华晶电子集团公司中央研究所等单位从事集成电路研究开发工作，担任课题组长、研究室副主任、研究室主任、研究所副总工程师和研究所副所长等职务。

王万业早期负责研究开发成功微电子主流技术ＨＣＭＯＳ，并在短沟道效应、窄沟道效应、集成电路工艺工程技术等方面做了深入研究，相继研制成功一系列高性能集成电路产品。负责国家“八五”重点科技攻关项目“１微米大生产技术研究和关键产品开发”，在国内领先建立１微米ＣＭＯＳ成套工艺模块，相继研制出国内最大规模的４万门门海、集成度达２０万个元件的高速数字信号处理器以及集成度达１６０万个元件的２５６ＫＳＲＡＭ等电路，１微米ＣＭＯＳ全套技术为国家多项重点工程研制开发和生产多种专用集成电路。承担国家“九五”科技攻关项目，研究开发新一代ＣＭＯＳ集成电路技术，为我国微电子技术的发展作出了突出贡献。获国家级科技进步奖二等奖２次，获电子工业部科技进步奖一等奖３次，获电子工业部科技进步奖二等奖３次，获国家计委、国家科委和财政部国家“八五”科技攻关突出贡献奖，获电子工业部“八五”科技攻关突出贡献奖和“七五”科技攻关突出贡献奖。