Carbon nano-metre tube FET （CNT- FET），碳纳米管场效应晶体管：

碳纳米管（CNT）是由碳原子组成的一种纳米大小的管状物质。其基本电学性质是：CNT的禁带宽度可从金属到半导体(0eV~1.1eV)变化（决定于CNT的直径和制备工艺）；CNT可通过掺杂而成为n-型和p-型的半导体，并可形成p-n结；电子在CNT中的输运是弹道式的，则CNT具有典型的量子线行为。

碳纳米管场效应晶体管就是用碳纳米管作为导电沟道来构成一种FET，其制造工艺过程可以是（见图示）：Si片氧化→ 在SiO2上蒸发并光刻Al栅极→ Al在空气中自然氧化而形成nm厚的Al2O3 → 在Al2O3膜上用激光烧灼法制备单壁碳纳米管（SWCNT）→ 用原子力显微镜（AFM）选择直径约1nm的碳纳米管置于Al栅极之上→ 用电子束印刷法将Au真空沉积在碳纳米管的两端而构成S和D极。这样制成的CNT- FET是增强型的p沟道器件，增益可大于10。

实际上，现在CNT- FET的制造技术尚存在有很多问题，例如如何在特定位置上放置更多的碳纳米管？如何能够保证CNT三极管的性能一致？