适用于2”-8”基片的半导体清洗工艺中,有效去除硅/晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性。根据不同清洗工艺配置相应的清洗单元，各部分有独立控制，随意组合；可根据用户要求配置氮气枪、DI水枪、恒温水浴、热台、超声清洗、DI水在线加热装置、DI水电导率测试仪器等。设备结构紧凑，净化占地面积小，造型美观、实用，操作符合人机工程原理。

设备适用于：

1　炉前清洗：扩散前清洗。

2　光刻后清洗：除去光刻胶。

3　氧化前自动清洗：氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。

4　抛光后自动清洗：除去切、磨、抛的沾污。

5　外延前清洗：除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。

6　合金前、表面钝化前清洗：除去铝布线后，表面杂质及光胶残渣

7　离子注入后的清洗：除去光刻胶，SiO2层

8　扩散预淀积后清洗：除去预淀积时的BSG和PSG。

9　外延前清洗：除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。

10　CVD后清洗：除去CVD过程中的颗粒。