石广源 ，1951年生， 辽宁大学物理学院 副教授， 电子科学与技术专业。

主持科研课题

1. 高压大电流IGBT的研制；

2. 低阻VDMOSFET研制与CAD软件研究；

3. 高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管的研制；

4. 双栅MOSFET研制；5. 扩散硅压力传感器最佳技术原理；等课题多项。

发表论文：

1. VDMOSFET的TOX与特征导通电阻RONA的关系VDMOSFET参数优化设计软件编制；

2. 压力变送器信号调整电路的设计思路；

3. 电阻栅MOSFET电流模型分析；

4. 双栅MOSFET工作原理与制造工艺；

5. 双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响；

6. VDMOSFET终端场板的设计考虑；

7. 六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型；

8. 一个专用芯片的边界扫描测试；

9. SiC结构的多型性等40余篇。

为硕士研究生讲授“VLSI原理与系统”以及“大功率半导体器件原理与设计”等课程。指导硕士论文近十人篇。