词条 | 热扩散技术 |
释义 | 热扩散(Thermal Diffusion)技术: 热扩散技术又称为高温扩散技术,是微电子工艺中的一种重要掺杂技术。 杂质原子热扩散的机理:主要有替位式扩散和间隙式扩散两种。杂质通过替位式扩散的扩散速度慢、需要的扩散温度高(800oC~1200oC),但是可精确控制p-n结的深度和掺杂浓度(需要控制温度精确至±1oC);Si中硼、磷等杂质的扩散就属于替位式扩散。杂质的间隙式扩散(如金在Si中的扩散)的扩散速度很快(在1000oC下10分钟就可扩散200~300μm的深度),扩散温度较低一些(800oC~1050oC)。 热扩散的杂质原子的浓度分布一般是erfc分布(预淀积扩散)或高斯分布(推进扩散或主扩散),表面处的浓度高、体内的浓度低;但金等间隙式扩散的杂质,因扩散速度快,可认为扩散以后的浓度分布是均匀的(其浓度大小由该温度下的固溶度来决定)。 |
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