巨磁阻抗效应是指磁性材料的交流阻抗随着外加直流磁场的变化而发生显著变化的效应。

1992年，日本名古屋大学的K.Mohri教授等在CoFeSiB软磁非晶丝中发现了巨磁阻抗(GMI)效应，其阻抗变化率△Z/Z0在几Oe磁场作用下可达50%，比金属多层膜Fe/Cu或Co/Ag在低温且高磁场强度下观察到的巨磁电阻效应高一个数量级。由于巨磁阻抗（GMI）效应具有灵敏度高、反应快和稳定性好等特点，所以其在传感器技术和磁记录技术中具有巨大的应用潜能，特别是研制灵敏度高、稳定性好、低功耗、微型化的磁敏传感器。此后，人们在非晶薄膜、玻璃包裹非晶丝材料、纳米晶合金带材料中相继发现了巨磁阻抗效应。