局部氧化（local oxidation of silicon，LOCOS）技术：

这是Si集成电路中、通过选择氧化的工艺来形成隔离区的一种方法。

硅的局部氧化的具体步骤是：首先通过热氧化形成一层薄（0.05μm~0.1μm）的SiO2膜（称为缓冲氧化膜），然后用热CVD方法生长一层Si3N4薄膜（0.05μm~0.1μm），接着在这双层膜上光刻出有源区图形（除去有源区以外的SiO2膜和Si3N4膜），最后，以留下的Si3N4膜作掩模、利用氧化速度很快的湿法氧化技术在有源区以外形成一层较厚（0.5μm~1μm）的SiO2膜，这层较厚的氧化膜就起着隔离墙的作用。这种方法所形成的SiO2膜是以半埋入方式存在的，则出现的台阶高度比较小；而且SiO2膜和沟道阻止层（Si3N4膜掩蔽进行硼离子注入）都可用同一块掩模来进行自对准。但是这种隔离会出现所谓“鸟嘴”（在Si3N4掩模边缘内附近区域的Si也受湿法氧化的影响，产生出鸟嘴的形状），这限制了隔离区宽度的进一步缩小。