时变击穿，Time-Dependent Dielectric Breakdown（TDDB）

即是与时间有关的一种电介质的击穿现象。

对于微电子技术中采用的氧化层而言，时变击穿是薄氧化层所具有的一种电击穿特性；这种击穿与陷阱俘获穿越氧化层的电荷、并引起氧化层的损伤有关；这种时变击穿可用达到击穿的时间——氧化层寿命来表征。