定义

概述

背景

展望

定义

极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常称作EUV光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的软x 射线。

概述

EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。

光刻技术是现代集成电路设计上一个最大的瓶颈。现cpu使用的45nm、32nm工艺都是由193nm液浸式光刻系统来实现的，但是因受到波长的影响还在这个技术上有所突破是十分困难的，但是如采用 EUV光刻技术就会很好的解决此问题，很可能会使该领域带来一次飞跃。

但是涉及到生产成本问题，由于193纳米光刻是目前能力最强且最成熟的技术，能够满足精确度和成本要求，所以其工艺的延伸性非常强，很难被取代。因而在2011年国际固态电路会议 (ISSCC2011)上也提到，在光刻技术方面，22/20nm节点主要几家芯片厂商也将继续使用基于193nm液浸式光刻系统的双重成像（double patterning）技术。

背景

英特尔高级研究员兼技术和制造部先进光刻技术总监Yan Borodovsky在去年说过“针对未来的IC设计，我认为正确的方向是具有互补性的光刻技术。193纳米光刻是目前能力最强且最成熟的技术，能够满足精确度和成本要求，但缺点是分辨率低。利用一种新技术作为193纳米光刻的补充，可能是在成本、性能以及精确度方面的最佳解决方案。补充技术可以是EUV或电子束光刻。”

在10年的SPIE先进光刻技术会议上，AMD公司的Bruno La Fontaine展示了IBM联盟开发的“台风”芯片，该芯片线宽为45 nm，完全现场测试，第一层金属采用极超紫外线（EUV）光刻技术实现。去年年中完成该项目后，IBM联盟——包括IBM、AMD、东芝和其它合作方——决定再上一个台阶。AMD技术团队的核心成员、IBM联盟EUV项目（纽约奥尔巴尼）经理Obert Wood介绍，“我们正在向32 nm技术进军，但技术进步如此迅速，要是在32 nm技术上耗费过多时间，我们可能永远无法实现16 nm技术，我认为16 nm技术节点将采用EUV光刻。”

显然，这两家公司的发展路线将会决定光刻技术的发展方向。

展望

英特尔已经开始量产22nm工艺处理器，英特尔计划2013年推出14纳米级芯片，2015年推出10纳米级芯片。

在SemiCon West产业会议上， Global Foundries公司对外宣布，将会在15nm制程时开始启用EUV极紫外光刻技术制造半导体芯片。Global Foundries公司高级副总裁Greg Bartlett表示，在纽约Fab8工厂建成之后的2012年下半年将会立刻开始在该工程部署EUV光刻的相关设备，与此同时，光刻设备厂商ASML也将会发售EUV光刻设备。

现阶段很多公司也在推动纳米压印、无掩膜光刻或一种被称为自组装的新兴技术。但是EUV光刻仍然被认为是下一代CPU的最佳工艺。