一 概述

晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高，IBM公司于1985年发展CMOS产品引入，并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中。1995年以后，CMP技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。

二 研磨制程分类

研磨制程根据研磨对象不同主要分为：硅研磨(Poly CMP)、硅氧化物研磨(Oxide CMP)、钨研磨(W CMP)和铜研磨(Cu CMP)。

三 研磨耗材

研磨耗材分为以下几大类：研磨液(Slurry)、研磨垫(Pad)、金刚石盘(Disk)、研磨头(Head)、清洗刷(Brush)和化学清洗剂与保护剂(Chemical)等。