郝东泉，2011年只有27岁，是康奈尔大学的在读博士。郝东泉先生本科在加州伯克利大学就读，并取得了材料科学与化学工程的双学士学位，郝东泉博士曾于02年至06年在著名的伯克利劳伦斯国家实验室工作，主要从事铝镓氮（AlGaN）高电子迁移率晶体管、退火温度和时间对应变硅位错分布的影响等方面的研究工作。06年8月开始在康奈尔大学攻读材料科学与工程的博士学位，主要研究领域包括：铟镓氮(InGaN)光伏器件的设计与制造，新型的石墨烯—碳化硅（SiC）异质结双极型晶体管器件的制造等。