词条 | 光(电)二极管 |
释义 | Photo-Diode(PD) 光(电)二极管 (1)基本概念:光电二极管就是能够把光信号转变为电信号、并从而能用来检测光的一种半导体器件。在光通信中,作为终端接收光信号的器件也就是光电二极管。 实际上,太阳电池、光电池、红外探测器件、辐射探测器件等,在工作原理上也都与光电二极管相同,只是在太阳电池和光电池中是着眼于把光能转变为电能而已。 光电二极管的基本结构就是一个反向偏置的p-n结(见图示)。 (2)工作原理:当能量≥禁带宽度的光照射到光电二极管上时,即可把半导体满带中的一些电子激发到导带、产生电子-空穴对;然后电子和空穴在势垒区中电场的作用下分别往p-n结两边输运,并形成所谓光生电流(等于势垒区内产生的载流子的漂移电流,再加上势垒区外产生的载流子的扩散电流)。该二极管的有效作用区,应该是p-n结势垒区及其两边的扩散区(一个扩散长度的中性区范围)。 (3)工作性能:一般的pn结光(电)二极管的特点是结构简单、使用方便;但对光的响应速度较慢(由于p-n结电容的影响),则不能高频使用;而且表面的p+区光吸收作用较强,则光检测灵敏度较低。 为了提高二极管对光的检测灵敏度,可从三个方面来加以改进: a)采用浅p-n结,以减小光照面中性区对光能的吸收; b)图中的p+区采用宽禁带宽度的半导体材料(称为窗口材料),以减小p+区对光能的吸收; c)增宽p-n结的势垒区宽度,以增大有效作用区。例如,制作成pin结的型式,这就是pin光电二极管(pin-PD),它在光的检测灵敏度方面要比一般的PD高得多; d)在pin二极管上加上一个较高的反向电压(接近击穿电压),使得能够产生载流子的倍增效应,这就可以把微软的光信号加以放大,更加提高了灵敏度。这种光电二极管就是所谓雪崩光电二极管(APD)。现在远距离光通信中广泛使用的光接收器件也就是APD。 |
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