现象：沟道热电子注入(Channel hot electron injection,CHE)效应是小尺寸MOSFET中热电子所呈现出的一种现象，也称为沟道雪崩注入效应，即是沟道中部分高能量的热电子往栅氧化层注入的一种现象。

产生的原理：因为当沟道中电场很强时, 由于漏结雪崩击穿或沟道雪崩击穿倍增出的载流子, 若在两次碰撞之间积累起的能量足以跨越Si-SiO2界面势垒 (电子势垒=3.15eV, 空穴势垒=3.8eV)，则这些热载流子（同时若获得纵向的动量的话）就有可能注入到栅氧化层中去 (因为电子与空穴的平均自由程不同，则电子注入的几率要比空穴高3个数量级)。一般，p-沟器件的雪崩注入现象要强于n-沟器件（因p-沟器件的漏极电位对电子注入起着促进作用，而对空穴注入起着抑制作用）。

影响：这种效应将使得源-漏击穿特性发生蠕变 (Walk-out)，击穿时电流越大, 注入到栅氧化层的电荷越多, 蠕变就越快。这种效应可导致器件发生所谓热电子退化而失效；但是也可以利用这种效应来实现新型功能的器件，例如浮置栅雪崩注入MOS（FAMOS）和叠栅雪崩注入MOS (SAMOS) 等存储器件，并且还制成了可擦除、可编程的只读存储器(EPROM) 等。