基本参数：

特性：

基本参数：

存储空间：2048×8；

2线串行接口；

施密特触发，噪声抑制滤波输入；

双向传输协议；

100kHz（1.8V，2.5V，2.7V）和400kHz（5V）兼容；

用于硬件数据保护的写保护引脚；

64字节页写模式；

允许局部页写操作；

汽车级和扩展温度范围；

封装：8引脚的SOIC和TSSOP封装，14引脚的SOIC封装

处理信号：模拟信号

制作工艺：半导体集成

导电类型：双极型

集成程度：中规模

工作温度：-40~125（℃）

安装：通孔

密度：16KBit

接口类型：串行-2线

工作温度：-65℃~85℃

最大操作频率：0.4MHz

最大操作电流：3mA

典型操作电源电压：2.5, 3.3, 5V

数据保留：100years

特性：

低压和标准电压工作(Vcc=1.8V—5.5V)，2048x8（4k）存储空间，2线串行总线，斯密特触发，噪声抑制滤波输入。Bi方向传输协议，100kHz（1.8V,2.5V,2.7V）和400kHz（5V）兼容传输速率。，硬件数据写保护引脚，8位页写模式，允许局部页写操作，器件内部写周期最大10ms，高可靠性，1万次的写周期，100年的保存时间。8pinPDIP、8pinJEDEC SOIC、8pinMAP和8pinTSSOP等四种封装形式。