发射极陷落效应,也称为发射极推进效应(Emitter-push effect)，这是在Si的n-p-n晶体管制造中出现的一种现象。当在扩散有硼的基区上再扩散磷时，即出现发射区正下方的硼扩散深度要比外基区的扩散深度大，这就是发射极推进效应。

产生这种效应的原因是由于磷-空位对[P+V2-]的离解而引起磷和硼扩散增强的结果。

发射极陷落效应的危害就在于基区宽度不能得到减小，从而影响到电流放大系数以及和频率和速度特性的提高。