磁性隧道(结)二极管（Magnetic Tunnel Junction diode）：

这是一种综合利用电子的自旋特性和电荷特性的一种自旋-电子器件。其结构是由两层铁磁性金属（1和2）夹一层较薄(能隧道穿透)的非磁性绝缘体而构成。在工作时，铁磁体1使流入的电子的自旋极化，当铁磁体2的磁化方向与铁磁体1的相同时, 则自旋极化了的电子即通过隧穿效应而到达铁磁体2，形成较大的电流——开通状态；当铁磁体2的磁化方向与铁磁体1的相反时，则自旋极化了的电子的隧穿效应减弱，通过的电流很小——关断状态。这就实现了电流的“通”和“断”两种状态，这也就是磁性随机存取存储器（MRAM）的器件基础。