掺杂气体(Dopant Gases)

　气体工业名词，在半导体器件和集成电路制造中，将某种或某些杂质掺入半导体材料内，以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，用来制造PN结，电阻，埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。主要包括砷烷，磷烷，三氟化磷，五氟化磷，三氟化砷，五氟化砷，三氯化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合，混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周，在晶片表面沉积上化合物掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。