电容-电压技术（C-V technique）就是通过测量电容与电压的关系来求得体系的有关性能参量的一种技术。

（1）对单边突变的p+-n结，其势垒电容C与电压V之间的关系可表示为：1/C2 = 2( Vbi –V)/(qεNdA2 )，则可通过测量1/C2~V关系曲线的斜率和截距来求得n型一边的掺杂浓度Nd和结的内建电势Vbi 。对线性缓变结, 也可以通过测量1/C3~V关系曲线来求得Nd和Vbi 。

对于一般的p-n结或者金属-半导体接触，也可通过C-V曲线的测量来得到轻掺杂一边的杂质浓度的分布N(W) ： N(W) = (2/qA2ε) [d(1/C2)/dV] 。

（2）对于MOS系统，通过其高频C-V特性曲线的测量（或者再加热测量）还可以得到其中的界面态和固定的与可动的电荷的数量；在MOS器件及其IC的制造过程中，C-V测量技术已经成为了一种常规的检测手段，用来监控工艺的质量。

此外，通过测量瞬态的C-V关系（例如深能级瞬态谱[DLTS]技术），还可以获得关于系统中界面态的信息。