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书 名：半导体材料研究进展

作　者：王占国，郑有炓　等编著

出 版 社：高等教育出版社

出版时间：2012-1-1

版　次：1

页　数：623

字　数：760000

印刷时间：2012-1-1

开　本：16开

纸　张：胶版纸

印　次：1

I S B N：9787040306996

包　装：精装

22552027

内容简介

本书首先回顾了半导体材料的发展史，简述了半导体材料的生长机理和现代半导体材料制备与表征新技术；然后对元素半导体锗、硅单晶材料以及硅基异质结构材料的制备、物性及其在微电子、光伏电池和光电集成方面的应用做了概述；接着介绍以GaAs、InP为代表的Ⅲ-V族化食物单晶衬底材料、趣晶格量子阱、量子线和量子点材料及应用，宽禁带GaN基Ⅲ族氮化物异质结构材料和SiC单aaa、外延材料及其相关器件应用；进而重点描述近年来得到迅速发展的以Zn0为代表的II-VI族半导体材料的研究现状与发展趋势；最后分别介绍HgCdTe等半导体红外探测材料和金刚石与立方氮化硼半导体材料的最新研究进展。

本书可作为高等院校、科研院所从事电子科学与技术、微电子和光电子学、电子工程与材料科学等专业的研究生和科研工作者的参考读物。

作者简介

王占国，半导体材料及材料物理学家。1938年12月29日生于河南镇平县。1962年毕业于南开大学物理系，同年到中国科学院半导体研究所工作至今。现任中国科学院半导体研究所研究员，中国电子学会常务理事、半导体和集成技术分会主任，中国材料研究学会荣誉理事，国家“973计划”材料领域咨询专家组组长，以及多个国际会议顾问委员会委员等。主要从事半导体材料和材料物理以及半导体低维结构生长、性质和量子器件研制等方面研究，先后获国家自然科学二等奖、国家科技进步三等奖，中国科学院自然科学一等奖和科技进步一、二和三等奖以及何梁何利科技进步奖等多项，与合作者一起发表SC

目录

第一章　绪论

1.1　半导体材料发展简史

1.2　半导体材料功能结构的演进

1.2.1　半导体三维结构材料

1.2.2　半导体低维结构材料

1.3　半导体材料生长动力学模式

1.3.1　半导体材料生长方法概述

1.3.2　块状半导体晶体生长动力学

1.3.3　半导体异质结构材料外延生长动力学

1.3.4　半导体纳米材料的气-液-固(VLS)反应生长动力学

1.4　碳基材料——石墨烯与碳纳米管

1.4.1　石墨烯

1.4.2　碳纳米管

参考文献

第二章　现代半导体材料制备和表征技术