满足X7R需要的多层陶瓷芯片电容器，其适合还原氛围的烧结条件，因此可以使用非贵金属如镍、铜及其合金，以根据本发明制作内外电极。电容器表现出所需的绝缘性能(高电容，低耗散系数和高绝缘电阻)、高度加速寿命测试时的良好性能，以及对介电击穿的良好抗性。绝缘层优选含有BaTiO3 作为主要成分，Mn3O4、Y2O3、Ho2O3、CaCO3、SiO2、B2O3、Al2O3、MgO 和CaO作为次要成分。将它们按比例分成批，优选比例为：BaTiO3 99.00～98.5 质量％、Mn3O4 0.336～0.505质量％、Y2O3 0.198～0.296质量％、Ho2O3 0.132～0.198质量％、CaCO3 0.199～0.299质量％、SiO2 0.057～0.085质量％、 B2O3 0.039～0.058质量％、Al2O3 0.018～0.027质量％、MgO 0.016～0.025质量％以及CaO 0.005～0.007质量％。优选B2O3、SiO2、MgO、Al2O3和CaO是以预处理玻璃的形式存在。本发明优选的形式可以在温度1,200～1,300℃范围内还原氛围中被烧结。替代地，可以在烧结循环中进行再氧化过程来优化陶瓷对介电击穿的抗性。

【 权利要求 】 一种组合物，用于形成多层陶瓷芯片电容器的绝缘材料，包括下列物质的烧结混合物： BaTiO3大约99.80～大约90.00质量％； Mn3O4大约0.067～大约3.364质量％； Y2O3大约0.040～大约1.976质量％； Ho2O3大约0.026～大约1.320质量％； CaCO3大约0.040～大约1.993质量％； SiO2大约0.011～大约0.567质量％； B2O3大约0.008～大约0.389质量％； Al2O3大约0.004～大约0.179质量％； MgO大约0.003～大约0.164质量％；以及 CaO大约0.001～大约0.047质量％。