类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：CoolMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：290 毫欧 @ 11A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：17A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.9V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：177nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2320pF @ 25V
功率 - 最大：42W
安装类型：通孔
种类:绝缘栅(MOSFET
导电方式:增强型
沟道类型:N沟道