基本信息

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

系列：CoolMOS™

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：290 毫欧 @ 11A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：800V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：17A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.9V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs：177nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2320pF @ 25V

功率 - 最大：42W

安装类型：通孔

种类:绝缘栅(MOSFET

导电方式:增强型

沟道类型:N沟道