硒化铅 分子式：PbSe

lead selenide

性质：灰色或灰黑色结晶粉末。立方晶系结构，密度8.10g/cm3。熔点1065℃。溶于硝酸和热浓盐酸中，不溶于水。真空中由铅和硒直接反应，或用氢还原亚硒酸铅制取。用于制造光敏电阻和红外检测器等。

PbSe是一种具有立方结构窄禁带的半导体材料，晶格常数0.6122nm，常压下其密度8.15g/cm，熔点1065℃。PbSe具有很多独特的物理性能，如介电常数高，载流子迁移率高（室温下空穴迁移率约为300cm/（vs）），直接带隙窄（E0：:028 -0.41eV）,并具有电子导电性能，即具有金属特性。这类半导体都是从研究红外探测器发展起来的。由于这类材料禁带窄, 具有良好的光电导效应, 噪声低,对外界条件的影响反应比较灵敏,适用于制造敏感器件。

近几年，科学家已经在纳米晶PbSe、PbS、PbTe等材料中观察到了“多载流子效应”，俗称“雪崩效应”。利用PbSe等纳米半导体材料制作的太阳能电池最高理论转换效率可望达到44%。因此，PbSe纳米晶材料在太阳电池材料、光敏传感器材料、光催化材料等方面具有广阔的基础研究及应用前景。