LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)

结构见图。

在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。

与晶体管相比，在关键的器件特性方面，如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面优势很明显。

LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。