轻掺杂漏区（Lightly Doped Drain，LDD）结构，是MOSFET为了减弱漏区电场、以改进热电子退化效应所采取的一种结构（见图示）。即是在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区，让该低掺杂的漏区也承受部分电压，这种结构可防止热电子退化效应。实际上，现在这种结构已经成为了大规模集成电路中MOSFET的基本结构。