Kink效应，也就是翘曲效应（Kink effect）：这是有关MOSFET特性的一个问题。

Kink效应是指场效应晶体管的漏极电流与漏极电压的非饱和特性。产生的原因是由于在高的漏极电压下，漏端附近的载流子会产生雪崩倍增，从而使漏极电流随漏极电压而迅速增加；把硅外延层连结到源电极上，则可明显改善漏极电流－电压的饱和特性。

对于硅/蓝宝石（SOS）隔离、或者硅/绝缘体（SOI）隔离的MOSFET，还有另外一个原因，就是其上的外延硅没有接地，即电位浮空性；当漏极的反偏pn结流过电流时，会使硅外延层的电位提高，从而增加了沟道电导，故随着漏电压的增大，漏电流也增大，形成非饱和特性。