基本参数：

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET -单

FET型：MOSFET N通道，金属氧化物

FET特点：标准型

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：400毫欧@ 8.4A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：500V

电流-连续漏极(Id) @ 25° C：14A

Id时的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：150nC @ 10V

在Vds时的输入电容(Ciss)：2800pF @ 25V

功率-最大：190W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247AD