基本信息

晶体管极性:P

漏极电流, Id 最大值:-74A

电压, Vds 最大:55V

开态电阻, Rds(on):0.02ohm

电压 @ Rds测量:-10V

电压, Vgs 最高:-4V

功耗:200W

封装类型:TO-262

针脚数:3

频率, Pd:200W

封装类型:TO-262

封装类型, 替代:TO-262AB

晶体管类型:MOSFET

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds:55V

电压, Vds 典型值:55V

电流, Id 连续:74A

电流, Idm 脉冲:260A

表面安装器件:表面安装

阈值电压, Vgs th 典型值:4V

阈值电压, Vgs th 最低:2V

阈值电压, Vgs th 最高:4V