基本信息：

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.2 欧姆 @ 2.8A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：900V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.1A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 310µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：28nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：710pF @ 100V

功率 - 最大：83W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

包装：带卷 (TR)

供应商设备封装：TO-252