周期表第Ⅲ，V族化合物半导体。六方晶系铅锌矿型结构，晶格常数0.3180nm。密度6.lg/cm3。熔点约1500℃。为直接带隙半导体。 室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m，电子迁移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。