主要参数：

FDS4435，采用SOIC封装方式。

晶体管极性:P沟道

漏极电流, Id 最大值:-8.8A

电压, Vds 最大:30V

开态电阻, Rds(on):0.02ohm

电压 @ Rds测量:-10V

电压, Vgs 最高:-25V

功耗:2.5W

工作温度范围:-55oC to +175oC

封装类型:SOIC

针脚数:8

SMD标号:FDS4435

功率, Pd:2.5W

封装类型:SOIC

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

满功率温度:25°C

电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V

电压, Vds:30V

电压, Vds 典型值:-30V

电流, Id 连续:8.8A

电流, Idm 脉冲:50A

表面安装器件:表面安装

阈值电压, Vgs th 典型值:-1.7V

阈值电压, Vgs th 最高:-3V