基本信息

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

系列：SIPMOS®

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 9A, 5V

漏极至源极电压(Vdss)：200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：14.5A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs：-

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1120pF @ 25V

功率 - 最大：95W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220AB

包装：管件

供应商设备封装：TO-220AB

其它名称：BUZ31-NDBUZ31INBUZ31XBUZ31XKSP000011341