3D芯片诞生

特点

采用3D Tri-Gate晶体设计制造工艺技术，依靠3D三门晶体管生产的处理器芯片。

3D芯片诞生

世界上第一款3D芯片工艺已经准备获取牌照，该工艺来自于无晶圆半导体设计公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制逻辑上使用了1.28亿个垂直晶体管用作内存位单元。该芯片的设计在国家Nanofab中心（韩国大田）和斯坦福Nanofab（美国加州）进行。BeSang公司称，该工艺由25个专利所保护，将允许Flash、DRAM以及SRAM放置在逻辑电路、微处理器以及片上系统上。

BeSang公司声称该公司在底层使用高温处理工艺进行制造逻辑电路，在顶层使用低温工艺来制造内存电路，从而实现了3D芯片。将不同层的逻辑和内存电路放置在同一个芯片中，BeSang的处理工艺在每晶圆中集成了更多的裸片，从而降低了每个裸片的成本。在BeSang，Lee与前三星工程师Junil Park一起，完善了首款真正的3D芯片工艺，后者为第一个用于高K电介质的原子层沉积工具的开发者。因为新的芯片工艺不再堆集裸片，公司称常规的冷却技术就可以工作，因为较厚的3D芯片工艺不会产生格外的热量。

特点

3D芯片仍采用多核，不同的是，多个处理器不再并排相连，而是上下平行地连在一起。这样，线缆的分布面积就扩大至整个处理器的表面，而且平行结构也有效缩短了各个处理器之间缆线的长度。实验显示，平均1平方毫米的面积可以分布100甚至是1000个线缆连接点，不但数据传输速度得到提高，电力消耗也大大减少。虽然3D芯片技术的出发点是为了提高计算机处理器的计算能力，但它的问世对环保事业同样具有非凡的意义。