| 词条 | 中国科学院半导体研究所 |
| 释义 | 半导体研究所是1956年按照"12年科学发展远景规划"中"四项紧急措施"开始着手筹建的，是集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究所，正式成立于1960年。 所情概况中国科学院半导体研究所是集半导体物理、材料、器件及其应用研究于一体的半导体科学技术的综合性研究所。半导体所设有：半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体照明研发中心，半导体材料科学中心，半导体材料科学重点实验室，光电子研究发展中心，半导体集成技术工程研究中心，光电子器件国家工程研究中心，高速电路与神经网络实验室，表面物理国家重点实验室（半导体所区），纳米光电子实验室，全固态光源实验室、光电系统实验室、图书信息中心。其中有两个国家级研究中心，三个国家重点实验室，一个中国科学院院级研发中心和一个院级重点实验室。 半导体所现有中科镓英半导体有限公司、扬州中科半导体照明有限公司、苏州中科半导体集成技术研发中心等合资公司。 为了适应知识创新的需要，经过学科调整和目标凝练，主要研究领域包括：光电子及其集成技术；体材料、薄膜材料、微结构半导体材料科学技术；低维量子体系和量子工程、量子器件的基础研究；半导体人工神经网络和特种微电子技术。 半导体所共有10名中国科学院院士（已故两位），2名中国工程院院士，其中已故黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。 半导体所现有职工640余人，其中科技人员460余人，正副研究员及高级工程技术人员198名，千人计划2人，“百人计划”入选者及国家“杰青”获得者35名、国家百千万人才工程入选者6名。 半导体所是国家首批建立的博士后流动站设站单位和博士、硕士学位授予单位，设有三个博士后流动站、四个博士学科专业点、五个硕士学科专业点。在读研究生共540余名，其中博士研究生285名，博士后在站人员近30名，研究生已经成为半导体所科研工作的生力军。 简介1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地，国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所（以下简称半导体所），开启了中国半导体科学技术的发展之路。 半导体所拥有两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；三个国家重点实验室—半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半导体所区）；两个院级实验室（中心）—半导体材料科学重点实验室、中科院半导体照明研发中心。此外，还设有半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、半导体材料科学中心、高速电路与神经网络实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室和半导体能源研究发展中心。并成立了图书信息中心，为研究所提供科研支撑服务。 半导体研究所现有职工640余名，其中科技人员460余名，中国科学院院士8名，中国工程院院士2名，正副研究员及高级工程技术人员198名，“百人计划”入选者及国家“杰青”获得者35名、国家百千万人才工程入选者6名。其中黄昆先生荣获2001年度国家最高科学技术奖。设有5个硕士学位授予点，3个工程硕士培养点，4个博士学位授予点，3个博士后流动站。 半导体所高度重视国内外交流合作，与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发（转移）中心、9个联合实验室，积极为企业和区域经济社会发展服务。同时积极开展多层次、全方位的国际学术交流与合作，成绩显著，科学技术部和国家外国专家局批准成立“国家级国际联合研究中心”。并且以自主知识产权的专利和专有技术投资，融合社会资本建立了10余家高技术企业，并实施科研成果转化为现实生产力，已初步形成产业化、商品化规模。 半导体所秉承“以人为本、创新跨越、唯真求实、和谐发展”的办所理念，奋斗不息，勇攀高峰，取得了快速发展，研究所已逐渐发展成为集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究机构。 半导体所的中长期发展战略目标是：开展与国家发展密切相关的、世界科技前沿的基础性、前瞻性、战略性科技创新活动，为发展我国的高新技术提供源源不断的动力；以国家战略需求为导向，开展战略高技术研究，为国民经济和国防建设提供科技支撑，并为相关行业的技术进步作出贡献；吸引、聚集和培养国际一流人才；建立具有国际先进水平的、开放的实验研究和测试平台，实现科技创新能力的跨越和持续发展，成为引领我国半导体科学技术发展的火车头。 历史沿革位于北京林业大学内部，占林大面积40%左右。 建所以来，半导体所在我国半导体科技发展的各个历史阶段都曾做出过突出的贡献。研制出中国第一只锗晶体管，硅平面晶体管，固体组件；第一根锗单晶，硅单晶，砷化镓单晶；设计制造出第一台硅单晶炉，区熔炉……。直接为国家经济建设和发展作出了重要贡献。 目前，所主要研究领域为： 光电子及其集成技术 体、薄膜、微结构半导体材料科学技术 低维量子体系和量子工程、量子器件的基础研究 半导体人工神经网络和特种微电子技术。 两院院士黄 昆：中国科学院院士 王守武：中国科学院院士 林兰英：中国科学院院士 王守觉：中国科学院院士 王启明：中国科学院院士 郑厚植：中国科学院院士 王占国：中国科学院院士 王 圩：中国科学院院士 夏建白：中国科学院院士 梁骏吾：中国工程院院士 陈良惠：中国工程院院士 李树深：中国科学院院士 现任领导李晋闽：所 长 李树深：副所长、党委副书记（主持工作）、纪委书记 俞育德：副所长 陈弘达：副所长 张春先：党委副书记 吴晓光：所长助理 祝宁华：所长助理 王国宏：所长助理 王晓亮：所长助理 曾一平：所长助理 研究生教育招生规模半导体所 2012 年预计招收学术型硕士学位研究生 95 名、专业学位硕士研究生（工程硕士）13 名，所有招生专业（含工程硕士）均接收推荐免试生，共拟接收推免生 50～60 名。 历年复试分数线2011年半导体所硕士研究生入学考试复试基本分数线 学科门类 外语 政治 专业课一 专业课二 总分 工学 50 50 90 90 340 理学 50 50 90 90 330 工程 50 50 90 90 320 招生专业目前，半导体所共有凝聚态物理、材料物理与化学、材料工程、物理电子学等8个专业招生。 学制实行弹性学制，硕士生学习年限为3年，最长修读年限（含休学）不得超过4年；博士生学习年限一般为3年，最长修读年限（含休学）不得超过6年；硕博连读生学习年限一般为5年，最长修读年限（含休学）不得超过8年。 |
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