扩散激活能（Diffusion activation energy）是指杂质原子或者母体原子在固体（包括半导体）中扩散的激活能。

固体中原子的扩散与温度有很大的关系，即扩散系数D与温度T之间存在指数函数关系：D=Do exp(－Ea/kT)，其中Ea就是原子扩散的激活能。随着温度的升高，扩散系数急剧增大；扩散激活能Q越大，扩散系数越小。　由于固体中原子的扩散需要通过空位或者间隙原子这些所谓热缺陷的产生来实现，所以扩散的激活能在本质上也就是形成热缺陷所需要的能量。一般，扩散激活能都比较高，即扩散比较困难，并从而固体中原子的扩散通常需要在较高的温度下才能进行。只有那些半径较小的原子，在固体中是通过晶格间隙来扩散的，才具有较小的激活能（例如Au原子在Si中的扩散）。