杨谟华生于1945年1月，微电子专家， 部级微电子技术专业组专家，微电子技术研究所副所长，在微电子研究领域取得相当大的成就。

简介

主要研究方向

成就

简介

教授，博士生导师，微电子专家

1945年1月生，1967年本科毕业于四川大学无线电电子学系，1981年在电子科技大学（原成都电讯工程学院）获硕士学位，留校工作，1988年－1990年留学英国伦敦大学帝国理工学院，主要从事现代模拟集成电路设计和VLSI集成技术的研究。91－92年在北京电子部电科院工作，92年至今在电子科技大学从事教学与科研。部级微电子技术专业组专家，微电子技术研究所副所长，超深亚微米集成电路与系统研究室主任，兼任大功率电真空器件技术国防实验室研究员。

主要研究方向

主要研究方向为：超深亚微米器件、IC与系统；VLSI/ULSI集成电路系统设计与工艺集成；基因芯片与纳米电子学；和GaN与SiGeC等新型器件电路开发研究。

成就

主讲的研究生与本科课程有“微电子学进展”、“半导体集成电路”、“固体微观理论”等5门，并撰写了三册著作、教材。已为国家培养了36位硕士和8名博士，且组建了一支具有平等宽松和谐工作环境的研发队伍。已承担完成和正在主持的国家自然科学基金项目“LV/LP CMOS模拟集成技术研究”和“VLSI/ULSI可靠性的监测与模拟”；国家与省部级重点项目“双二次开关电容滤波器SCF”、“恒带宽智能单片放大器”、“新型A/D、D/A基础研究”、“新型高温抗辐射GaN特种器件”和“高速DAC转换器”等30余项。并因此获得军民口科技进步奖励12项，申请专利2项。已在国内外“IEEE Trans on ED”、“ Semicond. Sci. & Technol ”、“Elec. Lett.”、“通讯学报”、“电子学报”、“半导体学报”等主要刊物发表学术论文50余篇。