SiO4的能级（导带底以下0.16ev处）叫陷阱能级。他将俘获电子的现象叫陷阱效应。

平常硅中的氧原子处于晶格的间隙位置﹐经450℃左右热处理使间隙位置的氧原子聚合起来﹐构成SiO4的硅氧复合体。经600℃以上的高温热处理﹐又会使这些硅氧复合体消失。硅中少子寿命实际测定值的变化﹐是与硅中硅氧复合体SiO4的浓度变化密切相关的。当SiO4浓度增大﹐少子寿命实际测定值就会增大﹔当SiO4浓度变小﹐少子寿命实际测定值就会变小。

陷阱效应是在有非平衡载流子时发生的效应。杂质能级积累某一种非平衡载流子的效应。 陷 阱：有显著陷阱效应的杂质能级。

电子陷阱——能积累电子的杂质或缺陷能级。空穴陷阱——能积累空穴的杂质或缺陷能级。