词条 | 铜铟硒(CIS)薄膜电池 |
释义 | 铜铟硒薄膜电池(简称CIS)适合光电转换,不存在光致衰退问题,转换效率和多晶硅一样。具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点,将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。唯一的问题是材料的来源,由于铟和硒都是比较稀有的元素,因此,这类电池的发展又必然受到限制。 简介铜铟硒太阳能薄膜电池(简称铜铟硒电池)是在玻璃或其它廉价衬底上沉积若干层金属化合物半导体薄膜,薄膜总厚度大约为2-3微米,利用太阳光发电。铜铟硒电池具有成本低、性 能稳定、抗辐射能力强等特性,光电转换效率目前是各种薄膜太阳电池之首,正是由于其优异的性能被国际上称为下一时代的廉价太阳能电池,吸引了众多机构及专家进行研究开发。但因为铜铟硒电池是多元化合物半导体器件,具有复杂的多层结构和敏感的元素配比,要求其工艺和制备条件极为苛刻,目前只有美国、日本、德国完成了中试线的开发,但尚未实现规模化生产。 突出特点CIS 太阳电池有转换效率高、制造成本低、电池性能稳定三大突出的特点。 转换效率高 CIS薄膜的禁带宽度为1.04eV,通过掺入适量的Ga以替代部分In,成为Cu In1= xGaxSe2 (简称CIGS) 混溶晶体,薄膜的禁带宽度可在1.04~1.7 eV 范围内调整,这就为太阳电池最佳带隙的优化提供了新的途径。所以, C IS (C IGS)是高效薄膜太阳电池的最有前途的光伏材料。美国NREL 使用三步沉积法制作的C IGS 太阳能电池的最高转换效率为19.5%,是薄膜太阳电池的世界纪录。 制造成本低 吸收层薄膜CuInSe2是一种直接带隙材料,光吸收率高达105量级,最适于太阳电池薄膜化,电池厚度可以做到2~3Lm,降低了昂贵的材料消耗。C IS 电池年产1. 5MW,其成本是晶体硅太阳电池的1/ 2~1/3,能量偿还时间在一年之内,远远低于晶体硅太阳电池。 电池性能稳定 美国波音航空公司曾经制备91cm2的C IS 组件,转换效率为6.5%。100MW/cm2光照7900 h 后发现电池效率没有任何衰减,西门子公司制备的CIS电池组件在美国国家可再生能源实验室(NREL ) 室外测试设备上,经受7年的考验仍然显示着原有的性能。 制备方法为降低大面积C IS太阳电池的制作成本、,各国学者提出了不同的制作方法,除了吸收层C IS 以外,其他各层通常采用真空蒸发或溅射成膜。过渡层CdS 的制备使用化学成膜法可以保证膜的致密、均匀,易于控制,现今多采用水浴法。吸收层CIS(CIGS) 是多元化合物,原子的晶格配比及结晶状况对其性能起着决定性的作用。目前制备CIS和CIGS吸收层有许多种方法:真空蒸发、磁控溅射、电沉积法、电子束蒸发、电镀等等。先简单介绍几种制备方法。 1、蒸发法制备法:作为实验室里制备面积很小的CIGS电池样品时,蒸发法制备的电池效率比较高,包括最高转化率的电池的CIGS层均是蒸发法制备的。目前采用多元共蒸发法成膜工艺,虽然可制备出高水平CIGS的电池,但元素的化学配比很难靠蒸发来精确控制,因而电池的良品率不高,产业化的实现比较困难,另外蒸发法其原料的利用率低,对于贵金属来说浪费大,不利于降低成本。这两种方法在日本、美国、德国无论在实验室和生产线上都有采用。 2、电沉积技术制备法:电沉积技术分为两大类:一步法、分步法。一步法制备CIS 薄膜涉及各元素(Cu、In、Se) 的分别沉积, 其中铜和硒的电极电位远比铟的高。这样在沉积过程中,铟元素较难还原。通常通过调节溶液pH值、电镀液中各元素的浓度, 使三种元素的电极电位尽可能相近,以保证三元素以接近CIS分子式的化学计量比析出。最初电化学沉积CIS薄膜采用恒电流法,后绝大多数是控制恒电位。 3、电镀法制备法:电镀法制备CIGS层,要制备具有理想定比、致密和表面均匀的薄层非常困难。要获得生产要求大面积均匀则更难。 4、硒化法是现在制备CIS (CIGS)薄膜的主流工艺,它是通过将Cu、In、Ga 合金预制膜硒化来制得C IGS 薄膜,硒化法中,Cu 和In 的厚度按配比严格控制,成膜方法有溅射、蒸发和电沉积等等。硒化法主要有分步蒸发硒化法,后硒化法等。分步硒化法是指将Cu+ Se和In+ Se分别共蒸后再硒化。当前,国际上比较流行”三步蒸发硒化法”制备CIGS 薄膜材料。近年来以固态硒作源的硒化(固态源后Se 化工艺) 被广泛采用,其原料为Se+ H2固气混合体,可以将固态Se 蒸发为饱和蒸汽,通过控制衬底温度和蒸汽压强,来实现硒化工艺,由此降低成本,而且无毒,工艺的重复性也有很大的提高。 5、溅射法不但可以可靠的调节各元素配比,并且制备出来的膜均匀性好,因为溅射粒子的能量比蒸发法要大的多,所以膜与基片的附着力增加,使膜致密结实,同时还可以控制溅射速率和时间的控制,有利于提高重复性。磁控溅射一般溅射CuIn和CuGa沉积CuInGa合金预制层,然后硒化。 |
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