| 词条 | 数字集成电路分析与设计 |
| 释义 | 该书以半导体器件物理为基础，阐述了深亚微米工艺中数字集成电路的设计技术。内容包括器件模型和公式、基本门电路、静态与动态电路、存储器设计、互连线产生的效应和芯片中电源网格与时钟的分布等。该书的讨论主要基于0.18 μm和0.13 μm CMOS工艺进行的，突出了深亚微米工艺中互连线带来的新问题及其对设计的影响。此外，书中强调了SPICE模拟工具在电路设计中的应用。该书反映了深亚微米数字集成电路的设计技术发展可作为高等院校微电子、计算机、电子工程等专业本科生和研究生的教材和参考书，也可供从事相关领域工作的技术人员参考。 基本信息作者：（美）霍奇斯 等著，蒋安平 等译 ISBN：10位[7121016664] 13位[9787121016660] 出版社：电子工业出版社 出版日期：2005-9-1 定价：￥48.00 元 作者简介David A.Hodges是加州大学伯克利分校的工程学荣誉退休教授。获得了Daniel M.Tellep杰出教授奖。他在康奈尔大学获得电机工程学士学位，并在加州大学伯克利分校获得硕士和博士学位。Hodges教授是1997年IEEE教育奖章和1999年ASEE Benjamin Garver Lamme奖的获得者。 Horace G.Jackson在英格兰出生和受教育。1956年他进入加州大学的Lawrence Berkeley实验室，从事核科学研究仪器的开发工作，直到退休。Jackson博士与人合著过两本书，并且在核科学和电子工程学期刊上发表了内容广泛的多篇文章。 Resve A.Saleh目前拥有英国哥伦比亚大学电机与计算机工程系的NSERC/PMC-Sierra教授职位。Saleh博士在加州大学伯克利分校获得电机工程硕士与博士学位。他出版了两本书，发表的期刊文章和会议论文超过50篇。Simplex Solutions公司是一家深亚微米验证公司，Saleh博士是该公司的创始人之一。 图书目录第1章 深亚微米数字集成电路设计 1.1 绪论 1.2 集成电路产业的简要历史 1.3 数字逻辑六设计的回顾 1.1.1 基本的逻辑函数 1.1.2 逻辑电路的实现 1.1.3 噪声容限的定义 1.1.4 瞬态特性的定义 1.1.5 功耗估算 1.4 数字集成电路设计 1.4.1 MOS晶体管的结构和工作原理 1.4.2 CMOS与NMOS 1.4.3 深亚微米互连 1.5 数字电路的计算机辅助设计 1.5.1 电路模拟和分析 *1.6 面临的挑战 1.7 小结 1.8 参考文献 1.9 习题 第2章 MOS晶体管 2.1 绪论 2.2 MOS晶体管的结构和原理 2.3 MOS晶体管的阈值电压 2.4 一次电流-电压特性 2.5 速度饱和公式的来源 2.5.1 高电场的影响 2.5.2 速度饱和器件的电流公式 *2.6 α功率定律模型 2.7 亚阈值传导 2.8 MOS晶体管的电容 2.8.1 薄氧化物电容 2.8.2 pn结电容 2.8.2 覆盖电容 2.9 小结 2.10 参考文献 2.11 习题 第3章 制造、版图和模拟 3.1 绪论 3.2 IC制造工艺 3.2.1 IC制造工艺概述 3.2.2 IC光刻工艺 3.2.3 晶体管的制造 3.2.4 制造连线 3.2.5 连线电容和电阻 3.3 版图基础 3.4 电路模拟中MOS晶体管的模型构造 3.4.1 SPICE中的MOS模型 3.4.2 MOS晶体管的具体说明 3.5 SPICE MOS LEVEL 1 器件模型 3.5.1 MOS LEVEL 1 参数的提取 *3.6 BSM3模型 3.6.1 BSIM3中的加载过程 3.6.2 短沟道阈值电压 3.6.3 迁移率模型 3.6.4 线性区和饱和区 3.6.5 亚阈值电流 3.6.6 电容模型 3.6.7 源/漏电阻 *3.7 MOS晶体管中的附加效应 3.7.1 产品中的参数变化 3.7.2 温度效应 3.7.3 电源变化 3.7.4 电压极限 3.7.5 CMOS闩锁 *3.8 绝缘体上的硅工艺 *3.9 SPICE模型小结 3.10 参考文献 3.11 习题 第4章 MOS反相器电路 4.1 绪论 4.2 电压传输特性 4.3 噪声容限的定义 …… 第5章 静态MOS门电路 第6章 高速CMOS逻辑设计 第7章 传输门和动态逻辑设计 第8章 半导体存储器的设计 第9章 存储器设计中的其他课题 第10章 连线设计 第11章 电源网格和时钟设计 附录A SPICE的简要介绍 附录B 双极型晶体管和电路 译者序集成电路的制造工艺水平基本按照摩尔定律不断提高，这种发展给集成电路的设计带来了很多新的变化。本书就是全面介绍深亚微米数字集成电路设计技术的一本优秀教材。书中以半导体器件物理的内容为基础，逐步阐述了深亚微米工艺中数字IC设计的关键问题：其内容包括器件模型和公式、基本门电路、静态与动态电路形式、存储器设计、互连线产生的效应和芯片中电源网格与时钟的分布等，介绍了最新的CMOS制造工艺以及相关的器件模型：书中的讨论主要是基于0．18μm和0．13μm CMOS工艺进行的，突出了深亚微米工艺中互连线带来的新问题及其对设计的影响。此外，还强调了SPICE模拟工具在电路设计中的应用。本书内容丰.. 图书前言第三版的目的自从15年前出版了本书的第二版之后，集成电路(IC，integrated circuit)工业发生了巨大的变革。最显著的趋势是CMOS作为主流IC工艺的出现。其他诸如NMOS、双极和GaAs工艺由于功耗、集成度和费用等方面的原因都让位于CMOS工艺。CMOS工艺中有大范围普及的工具、工艺和诀窍，因而在下一个10年中能够继续引领这一工业领域。第二个重要趋势是电路尺寸根据摩尔定律持续缩减。约在本书第二版出版时，集成电路工业的最小线条宽度达到了1μm件。人们曾一度认为这是尺寸缩减的物理和心理极限。但是，人们很快认识到晶体管的最小尺寸可以做得远低于lμm，并由此引发亚微米时代的开端。从那时起，我们目睹了.. 图书序言2001年7月间，电子工业出版社的领导同志邀请各高校十几位通信领域方面的老师，商量引进国外教材问题，与会同志对出版社提出的计划十分赞同，大家认为，这对我国通信事业，特别是对高等院校通信学科的教学工作会很有好处。教材建设是高校教学建设的主要内容之一，编写，出版一本好的教材，意味着开设了一门好的课程，甚至可能预示着一个崭新学科的诞生。20世纪40年代MIT林肯实验室出版的-套28本雷达丛书，对近代电子学科、特别是对雷达技术的推动作用，就是一个很好的例子。我国领导部门对教材建设一直非常重视。20世纪80年代，在原教委教材编审委员会的领导下，汇集了高等院校几百位富有教学经验的专家，.. |
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