砷化镓晶体 Crystal Ingots

砷化镓 GaAs (Gallium arsenide)

是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作磊晶片。

由于传送讯号的射频元件需要工作频率高、低功率消耗、低杂讯等特色，而砷化镓本身具有光电特性与高速，因此砷化镓多用于光电元件和高频通讯用元件。砷化镓可应用在WLAN、WLL、光纤通讯、卫星通讯、LMDS、VSAT等微波通讯上。不过，砷化镓材料成本较高，使用的制程设备也与一般IC业者常用的矽制程设备不同。

与过去以半导体为主的矽微波元件相比，砷化镓（GaAs）微波元件因输出功率高，耗电量小及不易失真等特性，功能强过矽元件。此外，当传输速度超过去1GHz以上时，矽微波元件都不是砷化镓元件的对手。目前看来，无线通讯产业采用砷化镓的趋势已逐渐成型。未来砷化镓微波元件需求可望再倍增。