萨支唐效应是BJT在小电流工作时的一种重要现象，该效应就是指发射结势垒区中的复合电流IE r使BJT放大系数降低的现象。该复合电流为

IE r ≈ q A xE ( ni / 2τ) exp(qVBE/ 2kT)

这就是说，复合电流与复合中心浓度（关系到τ）、势垒厚度xE、本征载流子浓度ni和发射结电压VBE等有关。复合电流将会导致电流放大系数不再是常数, 而是与发射结上的电压VBE有关。在低的VBE时, IE r与正向注入的有用电流可相比拟, 则使注射效率降低而导致放大系数明显下降；随着电压VBE的增大, IE r的影响将变得可以忽略 ( 因为 IE r 按照exp(qVBE / 2kT) 缓慢地增大, 而IC则按照exp(qVBE/ kT) 较快地增大), 从而使BJT在小电流时的电流放大系数随着电流的增大而升高。至于大电流时放大系数的下降，则与大注入时的效应（如Kirk效应或Webster效应）有关。

由于IE r对电流放大系数的影响与本征载流子浓度ni有关，则禁带宽度较大（ni较小）者影响也较大，从而复合电流在Si晶体管中的影响要大于Ge晶体管,而在GaAs-BJT中的要大于Si-BJT。