迁移率隙（Mobility gap）：

这是非晶态半导体的一个重要特征参量。非晶态半导体与晶态半导体具有类似的晶体结合方式，则其能带结构类似，即都有导带、价带和带隙；与晶态半导体带隙[禁带宽度]相对应的就是非晶态半导体的所谓迁移率隙。对于非晶态半导体，在每一个能带的中间区域的电子状态为扩展态，在带尾区中的电子状态为定域态，其分界能量称为迁移率边；在外电场作用下，定域态中的电子要从一个定域态转移(跳跃式)到另一个定域态而导电, 由于需要有声子的帮助，则这种跳跃式导电的迁移率很低，而扩展态电子的运动恰恰相反，所以在定域态与扩展态的分界处必然存在有一个迁移率的突变，故有迁移率边之称。实际上，非晶态半导体的迁移率隙也就是相应导带和价带的迁移率边的能量差。对于非晶硅，迁移率隙约为1.5~1.8eV。