| 词条 | 彭冬生 |
| 释义 | 人物档案人物：彭冬生 学历：博士 职称：讲师 主要研究方向：Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电材料与器件研究，太阳能电池的研究 人物简介彭冬生，博士，男，深圳大学光电工程学院讲师，江西吉安人，中共党员。 2000年毕业于武汉理工大学材料科学系，获学士学位；2000年9月考入华中科技大学攻读硕士学位，2003年获得华中科技大学材料学硕士学位；2003年7月分配到上海空间电源研究所工作；2004年9月考入中国科学院西安光学精密机械研究所攻读博士学位，2007年6月获得中国科学院西安光学精密机械研究所物理电子学专业的博士学位；2007年9月分配到深圳大学光电工程学院工作。 论文著作国内外重要专业期刊发表的学术论著： 1、D.S. Peng, Y.C. Feng, W.X. Wang, et al. High-quality GaN films grown on surface treated sapphire substrate. Journal of Physics D: applied physics, 2007 2、彭冬生，冯玉春，王文欣，等。一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法。物理学报，2006 3、彭冬生，冯玉春，王文欣，等。蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响。光子学报，2007 4、彭冬生，冯玉春，牛憨笨。Monte Carlo模拟薄膜生长的研究。材料导报，2006 5、彭冬生，冯玉春，牛憨笨。预处理蓝宝石衬底生长氮化镓基Ⅲ族氮化物薄膜。半导体学报，2007 国内外重要学术会议的论文和研究报告： 1、Peng Dongsheng, Feng Yuchun, Zheng Ruisheng, et al. Effects of pretreatment for sapphire on GaN optical properties. Proc. of SPIE, 2007 2、Dongsheng Peng, Yuchun Feng, Hanben Niu, et al. High quality GaN display films growth on pre-treated sapphire substrate. Proceedings of Asia display, 2007 3、彭冬生，冯玉春，郑瑞生，等。蓝宝石衬底表面处理时间对GaN光学性质的影响。第十届全国MOCVD学术会议论文集。2007 4、彭冬生，冯玉春，牛憨笨。蓝宝石基横向外延制备GaN薄膜。中国。深圳 国际半导体照明论坛，2006 |
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