简介：

2SC3356电性能参数（TA=25℃）：

简介：

2SC3356-R25硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管,因为该型号放大倍数为125-250档的命名为R25，并且塑封体本体上印字为R25，所以简称为R25三极管。该三极管具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片原产于NEC公司，现在国内也有生产。北京鼎霖电子在该公司已有的军用微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场研制开发了系列高频微波三极管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品相同。

2SC3356电性能参数（TA=25℃）：

击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V

直流放大系数hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA

集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)

发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)

特征频率fT:5.0GHz@VCE=3V,IC=7mA

集电极允许电流IC：0.1（A）

集电极最大允许耗散功率PT：0.2（W）

插入功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz

噪声系数NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz

反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。

贮存温度Tstg:-65~150℃

封装形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59

功率特性：中功率

极性：NPN型

结构：扩散型

材料：硅(Si)

封装材料：塑料封装