基本信息

类别：分离式半导体产品

家庭：晶体管(BJT) - 单路

晶体管类型：PNP

电流- 集电极 (Ic)（最大）：200mA

电压- 集电极发射极击穿（最大）：40V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA, 50mA

在某Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA, 1V

功率- 最大：625mW

频率- 转换：250MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-92-3（标准主体），TO-226

包装：散装