| 词条 | 内存刷新 |
| 释义 | § 简介 初 听“内存刷新”，很术语化，但看完这里的介绍后，也许您会有新的感觉，其中有种动态的美。 通常主板上使用的内存条应该叫做动态 DRAM，其中的数据是靠电容特性存储的。由于电容会放电，要维持数据，就要不断的给它充电。给动态 DRAM 定期充电的机制就叫做数据刷新时钟电路，即内存刷新电路。 细品味起来感觉有些问题，“ DRAM ”中的“ D ”实际上就是动态的含义，似乎语意上有所重复。不过请大家原谅，因为生活中类似的地方很多。比如俄罗斯的苏伯汤，实际上苏伯就是俄语的汤。姑且就叫做动态 DRAM 吧，比动态 RAM 亲切。 § 工作原理 一般情况下，内存刷新电路必须在数毫秒（ ms ）之内对 DRAM刷新一次，否则数据就会丢失。很象是一个流沙漏斗，一旦不加沙就会完全漏光。 在标准的 PC 电路设计中，每隔 15 微秒（ us ）对 DRAM 充电一次，整个充电操作必须在 4ms 之内完成。 § 发展 近年来，由于 CPU 的速度越来越快，使得 DRAM 越来越跟不上 CPU 的速度，使二者的匹配关系失去平衡。这使 CPU 大材小用，不得不停下来，插入几个等待周期来配合慢速的内存刷 新速度。因此产生了 AT 时代主板上的交叉（ Interleave ）刷新内存方法，这种设计要求至少有两个 BANK 。当一个 BANK 与 CPU 交换数据时，另一个 BANK 借机进行数据刷新。偷闲的刷新工作，使 CPU 总在工作。也许您应该知道电脑主板上的内存条为什么要分为 BANK 了，显然只让一个 BANK 插慢内存条势必使该方法失效；另外一种方法是 DRAM Page Mode ，也即动态 DRAM 页面模式。其原理是：在 CPU 对 DRAM 进行读写的一个周期中，只能对一个地址进行存取。可是如果把列地址固定，只连续改变内存的行地址，就可以得到一块连续的内存（可以称为一页），从而使 CPU 可以存取范围更大（页面）的数据，加快了数据存取过程。从单一地址到多个地址，从线性到页面的方法大大提高了 CPU 的效率，而且再也不依赖 BANK 的物理条件了。单单靠改进存取设计方法是不够的。使用新的内存材质，改进数据读写周期的触发 电路，更高级的调整 CMOS中关于 DRAM 的刷新周期进行优化设计等都可以提高 CPU 的效率，可喜的是动态的 DRAM 速度正在提高 PC133 标准正在流行， PC155 也指日可待。 |
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